삼성전자가 차세대 메모리 기술의 밑그림을 세계 최초로 공개했습니다. 삼성전자는 AI 칩 상단에 메모리를 직접 적층하는 차세대 3차원 아키텍처 ZHBM을 처음으로 선보였습니다. 이번 발표는 미국 산타클라라에서 열린 FMS 2026 기조 발표에서 이뤄졌으며, 삼성전자 김경륜 상무가 무대에 올라 ZHBM을 소개했습니다.
ZHBM은 인공지능 반도체가 마주한 성능과 전력 효율의 한계를 넘기 위해 고안된 구조입니다. 기존처럼 메모리를 별도로 배치하는 대신, AI 칩 위에 메모리를 곧바로 쌓아 올리는 방식이 핵심입니다. 연산을 담당하는 칩과 데이터를 담는 메모리 사이의 거리를 좁혀 성능을 끌어올리려는 접근입니다.
성능 향상 폭도 구체적으로 제시됐습니다. 삼성전자는 ZHBM이 HBM5와 비교해 GPU당 성능은 최대 여덟 배, 전력 대비 성능은 최대 세 배까지 향상된다고 설명했습니다. 같은 전력으로 훨씬 더 많은 연산을 처리할 수 있어, 전력 소모가 큰 AI 데이터 처리에 유리하다는 의미입니다.
이번 발표에서는 ZHBM과 함께 새로운 낸드 제품도 공개됐습니다. 삼성전자는 온디바이스 AI용 초고속 제품인 ZNAND5를 선보였습니다. ZNAND5는 D램 대비 육분의 일 수준의 비용으로 고성능 AI 모델을 구동할 수 있어, 비용 부담을 크게 낮출 수 있는 제품으로 소개됐습니다.
고용량 저장 기술의 진전도 함께 제시됐습니다. 삼성전자는 사백 단 이상을 적층한 십 세대 VNAND도 이번 자리에서 공개했습니다. 단수를 높여 더 많은 데이터를 한정된 공간에 담아내는 적층 기술의 흐름을 이어간 것입니다.
삼성전자는 이러한 신제품들을 앞세워 새로운 3차원 메모리 생태계 구축에 속도를 낼 것으로 보입니다. AI 칩과 메모리를 한 몸처럼 결합하는 ZHBM을 중심으로, 초고속 낸드와 고단 적층 기술을 함께 내세우며 차세대 AI 메모리 시장에서 주도권을 잡겠다는 구상입니다.