另一半芯片战争：长鑫与长江存储如何冲击三巨头，抢攻人工智能所需的高带宽内存

每当人们谈起所谓的「芯片战争」，谈起中国与英伟达之间的角力，通常指的都是逻辑运算类的人工智能加速芯片。然而，这场战争其实还有另外一半的战场，长期以来关注度要低得多，那就是存储芯片，也就是我们常说的内存与闪存。而在这片战场上，中国同样正在大步向前推进。

领跑这一轮冲锋的，主要是两家公司：一家是在DRAM内存领域的长鑫存储，另一家则是在NAND闪存领域的长江存储。进入2026年，两家企业都在飞速扩张产能，并且不约而同地冲刺同一个终极目标，那就是人工智能芯片须臾不可离开的高带宽内存，业内一般简称为HBM。

什么是存储芯片，为何重要

存储芯片顾名思义，就是负责存放数据的芯片。其中DRAM是运行速度极快的工作内存，而NAND则是用来长期存放数据的闪存。几乎每一部手机、每一台电脑、每一台服务器乃至每一颗人工智能加速芯片，都离不开它们。这是一个规模极为巨大的市场，长期以来被三家巨头牢牢把持着。

这三家巨头分别是韩国的三星、SK海力士，以及美国的美光。多年以来，想要打破这个由三家垄断的森严格局，一直被视为几乎不可能完成的任务，因为它需要庞大的资本、极为先进的制程工艺以及深厚的专利积累。而这，也正是中国厂商如今取得的进展显得如此引人注目的原因所在。

长鑫存储的DRAM狂飙

长鑫存储是目前中国最大的DRAM厂商。根据公开数据，该公司2025年的营收达到了约80亿美元，同比大增约百分之一百三十，这背后既有存储价格上涨的强力推动，也有产能的快速扩张。其月度DRAM晶圆产能大约翻了近三倍，从2024年初的每月十万片，一路增长到年底的约二十九万片。

技术上，长鑫在2024年就实现了DDR5内存的量产，并且到2025年下半年，其平均良率已经超过了百分之八十。半导体研究机构SemiAnalysis更是预测，长鑫有望在2026年年底超越美光，一跃成为全球第三大DRAM供应商。目前该公司还在积极筹备上市，志在成为中国的「存储芯片第一股」。

长江存储的NAND扩张

另一边，作为中国最大的NAND闪存厂商，长江存储同样也没有闲着。该公司正在武汉兴建第三座工厂，预计将在2026年下半年投入量产。值得注意的是，这座新工厂大约有一半的产能被规划用于生产DRAM内存，与此同时，公司还在与国内的封装厂展开合作，共同推进HBM的生产。

如果一切顺利，长江存储有望超越SK海力士与美光，跃升为全球第三大NAND厂商，仅次于三星和铠侠两家。事实上，早在2025年第一季度，长鑫与长江存储这两家企业的单季营收，就都已经双双突破了十亿美元大关，成为国产存储力量崛起过程中的一个重要里程碑。

HBM：真正的战略高地

在这场激烈的竞赛中，真正的战略高地其实是HBM，也就是高带宽内存。人工智能加速芯片需要把HBM像叠罗汉一样堆叠在运算核心的旁边，它往往才是决定整体性能的真正瓶颈所在。因此可以说，谁掌握了HBM，谁就等于扼住了这个人工智能时代的一处关键咽喉。

在这方面，长鑫存储已经向包括华为在内的国内客户，交付了采用16纳米工艺的HBM3样品，并且正力争在年底前于上海实现HBM的量产。围绕着它，一个涵盖设备与封装等环节的国产HBM产业生态，也正在逐步成形，试图补上这块长期被别人卡脖子的关键短板。

趁着行情，抢占窗口

时机也帮了大忙。由人工智能基础设施大规模建设所拉动的全球性内存短缺，让存储价格一路飙升。长鑫与长江存储正是抓住了这个难得的窗口期，一边激进扩产，一边锁定需求，力争在分析师普遍预期将于2027年前后到来的供应大潮之前，尽可能多地抢占市场份额。

当然，客观的差距依然明显存在。总体而言，中国的存储芯片在最先进的制程工艺和HBM技术上，往往还落后于领先者大约一到两代的水平，短期内很难完全追平。但无论如何，前进的大方向已经十分明确，而这背后所投入的资本规模，更是极为惊人，足以支撑起一场旷日持久的漫长追赶战。

另一场自给自足的冲刺

对于中国而言，存储芯片其实与逻辑芯片是同一个故事的一体两面，那就是在外部制裁不断加码的大背景之下，努力降低对国外供应商的依赖程度。华为昇腾、寒武纪等一众国产人工智能加速芯片，唯有真正用上国产的HBM内存，才能够算得上是名副其实、真正意义上的自给自足。

逻辑芯片的争夺往往更容易登上头条，但存储芯片这一战，其重要性其实丝毫不逊色。倘若长鑫与长江存储能够继续这样一路攀升，那么如今看似稳固的三巨头垄断格局，到本世纪二十年代末，或许将会呈现出一番截然不同的面貌，而中国的人工智能雄心，也将由此立于一个更为坚实的本土根基之上。